第三代半导体产业创新发展大会在南京召开-中国电子科技集团有限公司
9月6日，南京市人民政府、中国电科指导，国家第三代半导体技术创新中心主办的第三代半导体产业创新发展大会在南京召开。江苏省政府党组成员赵岩，南京市市长陈之常，中国电科总经理、党组副书记陈锡明出席会议并致辞。
赵岩表示，江苏坚持把第三代半导体产业作为未来产业发展的重点方向，目前已经形成了全产业链布局。要深入学习贯彻习近平总书记对江苏工作重要讲话精神，加快推动江苏省第三代半导体技术创新与产业高质量发展，为打造具有全球影响力的产业科技创新中心作出积极贡献。着力加强关键核心技术攻关，努力产出更多基础性、前沿性、颠覆性技术成果；着力强化重大科技创新平台建设，加快构建各类创新主体和创新资源有效协同的联合创新体系；着力推动产业高质量发展，加快科技成果转化和产业化，推进产业强链补链延链；着力营造优良创新生态，推动产学研用金深度融合，加强高层次人才引进和培育，打造第三代半导体领域创新和人才高地。
陈之常表示，南京将锚定产业强市建设战略部署，发挥科技人才优势，积极抢占未来产业新赛道，着力推动关键技术取得新突破、产业能级实现新跃升、生态支撑达到新水平，加快打造第三代半导体产业高地。希望与中国电科集团全面深化合作，携手推进国家第三代半导体技术创新中心（南京）建设，聚力打造生态化集群式发展样本，共同书写央地合作、互利共赢的崭新篇章。
陈锡明表示，第三代半导体作为全球半导体技术和产业前沿领域，将有力推动我国战略性新兴产业布局和发展。中国电科希望与地方政府、行业专家、业界同行开展紧密合作，加强原创技术供给，强化产学研用联合，推动跨学科、跨领域协同创新，补短板和锻长板共同发力，科技和产业深度融合，开放和自主相辅相成，创新体系和体系性创新相互促进，共同构筑自主创新的“核心圈”和产业发展的“朋友圈”。
国家第三代半导体技术创新中心在科技部的指导下、在各地政府的支持下，与相关高校、科研院所、行业企业等密切协同，布局深圳、南京、苏州、山西、湖南、北京六个区域平台，聚焦第三代半导体全产业链，开展协同攻关，突破关键共性技术，取得了一批阶段性、标志性成果，可持续发展的创新生态初步形成。
经过两年砥砺奋进，国家第三代半导体技术创新中心（南京）科研团队聚焦新能源汽车、光伏、轨道交通、高压输变电、智能电网等赛道，攻坚“新能源汽车用高电流密度高可靠碳化硅MOSFET产品”和“面向智能电网和高铁应用的高压大功率碳化硅电力电子器件”，收获一批重大成果。
碳化硅MOSFET芯片是新能源汽车车载充电机的“心脏”，可大幅提高新能源汽车充电效率。科研团队突破高可靠芯片设计等关键技术，形成大电流碳化硅MOSFET器件系列产品，研制出电驱用碳化硅功率模块系列产品。目前，碳化硅MOSFET芯片已在国内头部车企车载电源系统中使用超过1300万只，保障近200万辆汽车需求。自主研发的高压碳化硅器件及功率模块，在全碳化硅柔直变电站投入示范应用。生产国内首个逻辑、驱动、功率开关全氮化镓半桥功率芯片，为更高工作频率、高可靠电源应用奠定基础。
大会同步召开国家第三代半导体技术创新中心专家委员会会议、宽禁带半导体器件与集成技术全国重点实验室学术委员会会议，聚焦行业技术前沿、产业上下游需求，分享科技阵地前沿，探讨产业发展。